碳化硅性能總結
本站 2022-04-09
碳化硅是Si和C二元系統中唯一的二元化合物。其原子比是1:1。下面主要講解下碳化硅的特性。
1 穩定性較好。
在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蝕。SiC同硅酸在高溫下也不發生反應，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度開始反應，在1000度附近反應顯著，與氧化銅的反應在800度已強烈進行。。同氧化鐵在1000-1200度，進行反應，到1300度已明顯崩裂反應。同氧化錳反應從1360度起到崩裂反應。SiC在氯氣中，從600度開始與之反應，到1200度可使其分解為SiCl4和CCl4。熔融堿在熾熱下可使SiC分解。
2 抗氧化性較好
碳化硅在常溫下，抗氧化性很好，在合成SiC時殘留的Si、C及氧化鐵對SiC的氧化程度有影響。在普通氧化氣氛下純SiC可在高達1500度的溫度下安全使用，而含有部分雜質的碳化硅，在1220度會發生氧化。
3 抗熱震性較好。
由于碳化硅不熔化和分解出蒸氣的溫度很高，并具有很高的導熱性和低的熱膨脹性，從而具有好的抗熱震性。
1 穩定性較好。
在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蝕。SiC同硅酸在高溫下也不發生反應，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度開始反應，在1000度附近反應顯著，與氧化銅的反應在800度已強烈進行。。同氧化鐵在1000-1200度，進行反應，到1300度已明顯崩裂反應。同氧化錳反應從1360度起到崩裂反應。SiC在氯氣中，從600度開始與之反應，到1200度可使其分解為SiCl4和CCl4。熔融堿在熾熱下可使SiC分解。
2 抗氧化性較好
碳化硅在常溫下，抗氧化性很好，在合成SiC時殘留的Si、C及氧化鐵對SiC的氧化程度有影響。在普通氧化氣氛下純SiC可在高達1500度的溫度下安全使用，而含有部分雜質的碳化硅，在1220度會發生氧化。
3 抗熱震性較好。
由于碳化硅不熔化和分解出蒸氣的溫度很高，并具有很高的導熱性和低的熱膨脹性，從而具有好的抗熱震性。
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